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LP-UVM6025150A1采用垂直结构硅衬底大功率紫外LED芯片,基板线路设计灵活,在小的发光区内可实现高密度的紫外光输出,焊线具有高可靠性,产品的尺寸功率可根据客户要求定制。
采用陶瓷基板,导热性能好
垂直结构紫外芯片发光,能量密度集中
独特的芯片焊线设计 ,高可靠性
光电参数: (T solder pad =25 ℃) | ||||
光区面积 (mm) | 峰值波长 (nm) | 辐射强度 (W/cm2) | 正向电压 (V) | 功率 (W) |
Typ.@1800mA*3 | ||||
27.6*25 | 390~395 | ≥15 | 28 | 150 |
LP-UVM5535180A1采用垂直结构硅衬底大功率紫外LED芯片,基板线路设计灵活,在小的发光区内可实现高密度的紫外光输出,焊线具有高可靠性,产品的尺寸功率可根据客户要求定制。
采用陶瓷基板,导热性能好
垂直结构紫外芯片发光,能量密度集中
独特的芯片焊线设计,高可靠性
光电参数: (T solder pad =25 ℃) | ||||
光区面积 (mm) | 峰值波长 (nm) | 辐射强度 (W/cm2) | 正向电压 (V) | 功率 (W) |
Typ.@1500mA | ||||
33.96*28.3 | 390~395 | ≥15 | 140 | 180 |
LP-UVM4029150A1采用垂直结构硅衬底大功率紫外LED芯片,基板线路设计灵活,高密度芯片排布,在小的发光区内可实现高密度的紫外光输出,焊线具有高可靠性,产品的尺寸功率可根据客户要求定制。
采用陶瓷基板,导热性能好
垂直结构紫外芯片发光,能量密度集中
独特的芯片焊线设计,高可靠性
光电参数:(T solder pad =25 ℃) | ||||
光区面积 (mm) | 峰值波长 (nm) | 辐射强度 (W/cm2) | 正向电压 (V) | 功率 (W) |
Typ.@4200mA | ||||
28.77*8.3 | 390~395 | ≥20 | 42 | 150 |
LP-UVM5632150A1采用垂直结构硅衬底大功率紫外LED芯片,基板线路设计灵活,高密度芯片排布,在小的发光区内可实现高密度的紫外光输出,焊线具有高可靠性,产品的尺寸功率可根据客户要求定制。
采用陶瓷基板,导热性能好
垂直结构紫外芯片发光,能量密度集中
独特的芯片焊线设计,高可靠性
光电参数:(T solder pad =25 ℃) | ||||
光区面积(mm) | 峰值波长 (nm) | 辐射强度 (mW) | 正向电压 (V) | 功率 (W) |
Typ.@2800mA | ||||
32.8*32.6 | 390~395 | ≥80000 | 56 | 150 |